Samsung ha dado un paso decisivo en el desarrollo de memoria con la presentación de su nuevo módulo HBM4E, una tecnología que promete dar un paso más en los estándares de ancho de banda y eficiencia en el sector de la inteligencia artificial y el cómputo de alto rendimiento.
HBM4E: el paso definitivo hacia los 3 TB/s de ancho de banda
Durante el Open Compute Project Global Summit, la compañía reveló que el HBM4E alcanzará velocidades de hasta 13 Gbps por pila, lo que se traduce en un impresionante ancho de banda de 3,25 TB/s por módulo. Esta cifra representa casi dos veces y media el rendimiento del actual HBM3E, consolidando a Samsung como líder en la próxima generación de memorias de alto ancho de banda.
Además del aumento en velocidad, la nueva memoria destaca por su notable mejora en eficiencia energética, duplicando prácticamente el rendimiento por vatio respecto a su predecesora. Este avance es fundamental en aplicaciones de IA, centros de datos y servidores de entrenamiento de modelos, donde el consumo eléctrico y la disipación son factores críticos.
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Samsung también ha mostrado avances en la versión estándar HBM4, que alcanzará velocidades de 11 Gbps por pin, superando ampliamente los estándares actuales del mercado. Con esta estrategia, la compañía busca tomar la delantera en la competitiva carrera por ofrecer soluciones más rápidas y eficientes.
Se espera que Samsung colabore con grandes fabricantes de procesadores y GPU para integrar HBM4E en sus próximos productos. Gracias a su control sobre todo el proceso de producción, la empresa podrá optimizar costos y acelerar la llegada de esta tecnología al mercado.
La producción en masa de HBM4 comenzará en 2026, marcando el inicio de una nueva era para la memoria de alto rendimiento por parte de Samsung. Os mantendremos informados.
